SK Hynix выпустила первую в мире память DDR5 DRAM

Разработчик SK hynix представил первые в мире модули оперативной памяти формата DDR5.

Он утверждает, что новая ОЗУ отличается от DDR4 по всем ключевым характеристикам. Причем каждая из них значительно улучшена в сравнении с предыдущей моделью.

Так, скорость передачи данных увеличится в сравнении с DDR4 почти вдвое и составит от 4 800 до 5 600 Мбит/с на один контакт.

Производителю также удалось снизить напряжение модулей с 1,2 до 1,1 В. Благодаря этому существенно возрастет энергоэффективность новой памяти.

Емкость модулей как в теории, так и на практике сможет достигать 256 Гб, что откроет новые возможности в области создания современной компьютерной техники. Помимо этого, разработчик заявил об успешно реализованной технологии Error Correcting Code, которая будет исправлять возникающие в ходе работы ошибки. Это существенно повысит стабильность функционирования приложений.

Изначально планируется внедрять новую память в серверное оборудование. Производитель утверждает, что она поможет повысить энергоэффективность дата-центров, а также снизить расходы на их эксплуатацию.